张静，女，讲师，工学博士，硕士生导师。

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电子邮箱：zhangjing6048@sust.edu.cn

办公地点：逸夫楼A-211

学习工作经历：

2020.04-至今 437ccm必赢国际 437ccm必赢国际

2017.02-2019.12中国科学院半导体研究所 微电子与固体电子学专业 联合培养博士

2016.08-2019.12西安电子科技大学 微电子与固体电子学专业 工学博士

2010.09-2013.7437ccm必赢国际 电力电子与电力传动专业 工学硕士

2006.10-2010.7437ccm必赢国际 电子科学与技术专业 工学学士

研究方向：

1. III-V族材料外延生长技术研究：包括锑化物量子阱异质结外延生长技术、InAs量子点生长技术、Si基III-V族材料的大失配成膜机制及界面特性与调控方法。

2. 新型半导体器件研究：包括高迁移率晶体管（HEMT）、高迁移率CMOS器件、发光二极管、micro LED、mini LED、量子点激光器等。

研究成果：

1. 主持项目：

[1] 陕西省2023年自然科学基础研究计划，项目名称：锑化物量子阱CMOS器件的外延材料缺陷表征及迁移率增强研究，编号：2023-JC-QN-0758；

[2] 437ccm必赢国际科研启动项目，项目名称：锑化物MOS-HEMT的器件传输特性研究，编号：2020BJ-26；

[3] 企业横向项目，项目名称：化合物半导体材料的生长及测试，编号：210210215。

2. 发表论文：以第一作者发表学术论文14篇，SCI、EI收录9余篇。

3. 授权专利：累计申请专利15项，其中授权发明专利5项，授权实用新型专利9项，进入实质审查的发明专利1项。